Abstract

A low-temperature, Si-deficient variety of vesuvianite occurs in porous tetrahedral “achtarandite” pseudomorphs consisting of hibschite, along the banks of the Wiluy River, Yakutia, Russia, the type locality of grossular and wiluite. The (H4O4)4−-for-(SiO4)4− hydrogarnet-type substitution is evident in the vesuvianite, a substitution that allows it to be considered an analogue of hibschite. This variety of vesuvianite belongs to a new series in the vesuvianite group, as expressed by the formula X19Y13T0–5(Si2O7)4(SiO4)10−x(OH)4xW10. The filling of the X, Y, and T positions in this Si-deficient vesuvianite, where x varies from 0.67 to 2.89, is analogous to that in vesuvianite and wiluite. The Si-deficient vesuvianite is characterized by increased unit-cell parameters, a 15.688(3), c 11.860(3) Å and by lower indices of refraction, ε 1.691(1), ω 1.668(1). In the OH-region, the FTIR and Raman spectra differ sharply from those of low-temperature vesuvianite from rodingites, but are similar to the spectra of hibschite. A line near 3620 cm−1 indicates that the substitution occurs only in the isolated tetrahedra. More than 25% of these can be substituted by (H4O4). Contents of boron up to 2.48 apfu were detected in the Si-deficient vesuvianite. The vesuvianite formed during the hydration (serpentinization and rodingitization) of early, high-temperature skarns.

Abstract

Une variété de vésuvianite déficitaire en Si, formée à basse température, fait partie d’un amas tétraédrique de hibschite formé par pseudomorphose (“achtarandite”) le long des rives de la rivière Wiluy, en Yakoutie, Russie, la localité-type du grossulaire et de la wiluïte. La substitution de (H4O4)4− au (SiO4)4−, comme c’est le cas dans un hydrogrenat, se manifeste donc dans la vésuvianite, et mène à ce que l’on peut considérer comme un analogue de la hibschite. Cette variété de vésuvianite fait partie d’une nouvelle série du groupe de la vésuvianite, comme l’exprime la formule X19Y13T0–5(Si2O7)4(SiO4)10−x(OH)4xW10. Le schéma utilisé pour remplir les sites X, Y, et T dans cette vésuvianite déficitaire en Si, dans laquelle x varie de 0.67 à 2.89, est analogue à celui qui régit la vésuvianite et la wiluïte. La vésuvianite déficitaire en Si fait preuve d’une augmentation en paramètres réticulaires, a 15.688(3), c 11.860(3) Å, et d’une diminution des indices de réfraction, ε 1.691(1), ω 1.668(1). Dans la région où se trouvent les bandes OH, les spectres d’absorption infrarouge (avec transformation de Fourier) et de Raman diffèrent de façon marquée de ceux de la vésuvianite de basse température provenant des rodingites, mais ressemble à ceux de la hibschite. Une bande située près de 3620 cm−1 indiquerait que la substitution n’implique que les tétraèdres isolés. Plus de 25% de ceux-ci semblent remplacés par des agencements (H4O4). Des teneurs en bore atteignant jusqu’à 2.48 atomes par unité formulaire sont signalées dans la vésuvianite déficitaire en Si. Cet exemple se serait formé lors d’une déshydratation (serpentinisation et rodingitisation) d’un skarn de haute température.

(Traduit par la Rédaction)

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